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原子層沉積設備

簡要描述：原子層沉積設備為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。

  • 產品型號：
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-07-10
  • 訪  問  量：1345

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域環保,化工,電子

原子層沉積設備（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5％以內。 image.png

介電常數和功函數：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流：介電常數應為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。

image.png

原子層沉積設備應用領域腔體

  • 高k值之氧化物。

  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

  • 微機電系統。

  • 納米電子學。

  • 納米孔結構薄膜。

  • 光學薄膜。

  • 薄膜封裝技術。

  • 鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。



配置和優點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。

  • 優異的薄膜均勻度小於±1％。

  • 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。

  • 薄膜具有高緻密性。

  • 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

  • 快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。

  • 通過穩定的溫度控制，將基板載臺加熱到400°C。

  • 材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 高真空傳送系統。







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