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低真空化學氣相沉積設備

簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。

  • 產品型號：
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-07-10
  • 訪  問  量：656

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域環保,化工,電子

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低真空化學氣相沉積設備（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，LPCVD的優勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

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低真空化學氣相沉積設備參數

應用領域腔體

  • 碳納米管和石墨烯的製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜

    製程。

  • 熱退火。

  • 擴散製程。

  • 氧化製程。

  • 加熱爐配置：水平或垂直，結合

    傳送機構。



配置和優點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達8寸

    晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優異的薄膜均勻度小於±5％。

  • 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。

  • 可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整

    合在一起。




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